买卖IC网 >> 产品目录 >> SI4626DY-T1-E3 MOSFET 30V 30A 6.0W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI4626DY-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 30A 6.0W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 30A 6.0W
SI4626DY-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 21.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.0036 Ohms
配置 Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI4626DY-T1-E3
SI4628DY
SI4628DY-T1-GE3
SI4630DY
SI4630DY-T1-E3
SI4630DY-T1-GE3
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公司名
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深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491934(手机优先微信同号) 何芝
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深圳市创芯弘科技有限公司 13410000176 (2014年前十佳IC供应商)
深圳市海天鸿电子科技有限公司 0755-82552857-809 彭小姐、刘先生、李小姐
深圳市大源实业科技有限公司 15302619915 李女士
深圳市琦凌凯科技有限公司 13316482149 彭先生
  • SI4626DY-T1-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价